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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高分离栅闪存器件的性能和良率
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简介金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118946152 A，申请日期为2023年5月...
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