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可控生长InSb纳米低维结构和其高质量量子器件｜进展

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简介窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选 ...

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